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BSZ100N06LS3 G /MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ100N06LS3 G的规格信息
BSZ100N06LS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:7.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:58 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ1N6LS3GXT SP000453672

单位重量:100 mg

供应商BSZ100N06LS3 G
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深圳市鑫智腾创科技有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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集好芯城BSZ100N06LS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSZ100N06LS3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市拓亿芯电子有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSZ100N06LS3 G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司BSZ100N06LS3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
BSZ100N06LS3 G及相关型号的PDF资料
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BSZ100N06LS3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO467.80 Kbytes共9页BSZ100N06LS3 G的PDF下载地址无
BSZ100N06LS3 G的全球分销商及价格
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ChipOneStop		BSZ100N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥2.42
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BSZ100N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥2.42
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element14 e络盟电子		BSZ100N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥2.42
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSZ100N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥2.42
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥6.9156
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		BSZ100N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥2.42
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BSZ100N06LS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道1+:￥3.59
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